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滑動(dòng)軸承減摩層的電鍍新工藝(4)
來(lái)源:軸承網(wǎng) 時(shí)間:2017-10-13
用L9(34)正交實(shí)驗(yàn)法斷定鍍液中[Pb2+]、游離[HBF4]、游離[H3BO3]及工藝參數(shù)DK的最佳值.
5。1 實(shí)驗(yàn)條件
陽(yáng)極組成：PbSn10，
溫度：20~25℃，
電源：三相全波硅整流器，
試片幾許尺度：100×50×4，
試片面料(即被鍍基體)的組成：CuPb22Sn2，
試片面料的外表粗糙度：Ra0。4.
固定成分含量.
Sn 2+：15g/ι，Cu：5g/ι，穩(wěn)定劑：5g/ι，添加劑：2g/ι，
表1 列號(hào)、因子對(duì)照表
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L9(3< 1 2 3 5
sup>4)列號(hào)
--------------------------------------------------------
因子 A B C D
--------------------------------------------------------
表2 因子、水平表
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水平/數(shù) 游離氟硼 鉛離子 游離硼酸 陰極電流
據(jù)/因子 酸[HBF [H3 密度(DK)
ub>4] BO
3 sub>]
A B C D
-------------------------------------------------------------
1 75g/ι 250g/ι 25g/ι 4A/dm2
2 150g/ι 150g/ι 35g/ι 3A/dm2
3 300g/ι 80g/ι 15g/ι 2A/dm2
-------------------------------------------------------------
5。2 因子及其水平
游離氟硼酸(HBF4)的濃度(A)：A1=70g/ι，A2=150g/ι，A3=300g/ι.
鉛離子(Pb2+)的濃度(B)：B1=250g/ι，B2=150g/ι，B3=80g/ι.
游離硼酸(H3BO3)的濃度(C)：C1=25G/ι，C2=35g/ι，C3=15g/ι.
陽(yáng)極電淳密度(DK)(D)：D1=4A/dm2，D2=3A/dm2，D3=2A/dm2.
5。3 實(shí)驗(yàn)進(jìn)程及其成果評(píng)估
在細(xì)心、細(xì)心地預(yù)備之后；按正交實(shí)驗(yàn)計(jì)劃(見(jiàn)表3)精心組織九次實(shí)驗(yàn)；對(duì)實(shí)驗(yàn)成果進(jìn)行了評(píng)估.
表3 正交實(shí)驗(yàn)計(jì)劃及其成果剖析表L9(34)
-------------------------------------------------------------
實(shí)驗(yàn)號(hào)/水 1 2 3 4 實(shí)驗(yàn)成果評(píng)分
平/列號(hào)
-------------------------------------------------------------
1 1 1 1 1 100
2 1 2 2 2 100
3 1 3 3 3 95
4 2 1 2 3 80
5 2 2 3 1 65
6 2 3 1 2 70
7 3 1 3 2 45
8 3 2 1 3 50
9 3 3 2 1 30
-------------------------------------------------------------
K1 295 225 220 195
K2 215 215 210 215
K3 125 195 205 225
R 56。6 10。0 5。0 10。0
-------------------------------------------------------------
在表3中；K1分別為各列中第1 水平得分的總和，K2分別為各列中第2水平得分的總和，K3分別為各列中第3水平得分的總和.
R=(Kmax Kmin)/3.
四個(gè)因子對(duì)軸瓦減摩鍍層質(zhì)量影響的巨細(xì)次序是A＞B=D＞C.即游離氟硼酸的濃度影響最大；鉛離子的濃度及陰極電流密度的影響次之；游離硼酸的濃度影響最小.
如今剖析各因子中的每一水平對(duì)軸瓦減摩鍍層質(zhì)量的影響狀況.
在A中：K1＞K2＞K3；第1水平最棒.
在B中：K1＞K2＞K3；第1水平最棒.
在C中：K1＞K2＞K3；第1水平最棒.
在D中：K3＞K2＞K1；第3水平最棒.
經(jīng)過(guò)上述剖析；得出最佳組合條件為A1B1C1D3.即由正交實(shí)驗(yàn)法得出的最佳電鍍條件為
HBF4(游離)： 70g/ι，
Pb2+： 250g/ι，
H3BO3(游離)： 25g/ι，
DK： 2A/dm2.
在實(shí)踐出產(chǎn)中；思考到槽液的導(dǎo)電性及帶出丟失等要素；把游離氟硼酸的濃度及鉛離子的濃度進(jìn)行恰當(dāng)調(diào)整；前者恰當(dāng)調(diào)高；后者恰當(dāng)調(diào)低.從表3還能夠看出；DK在2~3A/dm2的規(guī)模之內(nèi)時(shí)；鍍層質(zhì)量不同不大；思考到出產(chǎn)進(jìn)展；因而將它斷定在適合的規(guī)模之內(nèi).當(dāng)氣溫降低時(shí)；游離硼酸易分出結(jié)晶；因而將其濃度思考得略低些.
經(jīng)充沛權(quán)衡多方面的要素；把軸瓦電鍍?nèi)辖饻p摩層的工藝進(jìn)行了如下改善.
Pb2+(以Pb(BF4)2的方式參加)：150~200g/ι，
Sn2+(以Sn(BF4)2的方式參加)：10~20g/ι，
Cu2+(以Cu(BF4)2的方式參加)：3~6g/ι，
HBF4(游離)：70~120g/ι，
H3BO3(游離)：20~25g/ι，
穩(wěn)定劑：3~10g/ι，
添加劑：0。5~5g/ι，
溫度(T)：15~35℃，
陰極電流密度(DK)：2~2。8A/dm2，
時(shí)刻(t)：15~35min，
鍍層厚度(δ)：15~30μm，
陽(yáng)極組成：PbSn9~11，
陽(yáng)極面積與陰極面積之比：2.
6 作用
改善后的工藝閱歷了多年的出產(chǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)檢測(cè).其成果是鍍層結(jié)晶細(xì)密、潤(rùn)滑；消除了氣流條紋、針孔、凹坑、結(jié)瘤、粗糙等缺點(diǎn).軸瓦產(chǎn)物的廢話品丟失率由本來(lái)的0。5%左右降低到如今的0。1%以下，一次交檢合格品率由本來(lái)的90%左右上升到如今的99%以上.可見(jiàn)軸瓦電鍍產(chǎn)物質(zhì)量有了明顯進(jìn)步.
曾經(jīng)；每個(gè)陽(yáng)極方位只能電鍍一副軸瓦；DK開(kāi)中、下限還時(shí)有鍍層粗糙、條紋等缺點(diǎn)發(fā)作.改善工藝后；每個(gè)陽(yáng)極方位可電鍍2~4副軸瓦；陰極電流密度比本來(lái)進(jìn)步近50%；而且鍍層結(jié)晶仍很細(xì)密.改善后的工藝進(jìn)步工效2~4倍.
我廠軸瓦定貨量逐年上升；產(chǎn)值逐年增高；當(dāng)前年產(chǎn)值已達(dá)一千多萬(wàn)元.近十年來(lái)發(fā)生直接經(jīng)濟(jì)效益數(shù)千萬(wàn)元.一起還為主機(jī)廠更新?lián)Q代的主機(jī)及進(jìn)口主機(jī)的國(guó)產(chǎn)化供給了適當(dāng)數(shù)量的高質(zhì)量的軸瓦配件.這些年；我廠有些軸瓦產(chǎn)物已打入世界市.哂幸歡ㄊ康某隹.這一切都與軸瓦電鍍質(zhì)量的進(jìn)步有著直接的聯(lián)系.
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